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Opto Diode光电二极管阵列，电子检测的理想选择
Opto Diode提供标准和定制配置的多元素或阵列探测器，以紧凑的封装提供AXUV、SXUV、UVG和NXIR系列的所有优点
Opto Diode光电二极管阵列有两种型号，采用40针双列式封装或者22针双列式封装，是电子检测的理想选择。有?；ば愿前澹员；す獾缍苷罅泻偷枷吡印２ㄍ﨩pto Diode光电探测器阵列可以在紫外、可见、近红外光中进行响应，从典型的紫外-可见-近红外光子响应性图中可以看到灵敏度小于0.5A/W。
光电二极管阵列有效面积分别是3mm2和10mm2，AXUV16ELG光电二极管阵列是16个元件光电二极管阵列，AXUV20ELG多元素阵列是20个元素的阵列。光电二极管阵列储存和工作温度范围在外界下是-10°C~40°C，在氮气和真空下温度是-20°C~80°C，引线焊接的温度是260°C。超过这些参数的温度可能会在有源区产生氧化物生长。随着时间的推移，对低能量辐射和150纳米以下波长的响应性将受到影响。距离外壳0.080英寸，持续10秒。发货时带有临时盖子，以?；pto Diode光电探测器阵列和导线连接。在拆除盖子之前，请查看应用说明 "AXUV、SXUV和UVG检测器的处理注意事项"。
AXUV16ELG光电二极管阵列的特点,
- 40针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- ?；ば愿前?br/>在25°C时的电光特性
AXUV16ELG光电二极管阵列在2mmx5mm的测试条件下，有效面积的典型值是10mm2。当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V。VR=0V时，电容的典型值是700pF,最大值是2000Pf。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为500纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。
AXUV20ELG光电探测器阵列的特点
- 22针双列式封装
- 是电子检测的理想选择
- ?；ば愿前?
AXUV20ELG光电探测器阵列在0.75mmx4.1mm的测试条件下，有效面积的典型值是3mm2，灵敏度见图，当电阻的电流为IR=1µA时，反向击穿电压典型值是25V，最小值是20V。VR=0V时，电容,最大值是1nF。VR=0V测试条件下，上升时间典型值为200纳秒。在Vf=±10mV测试条件下时，每个元件的分流电阻值是100欧姆。
Opto Diode光电二极管阵列型号
AXUV16ELG
ODD-AXU-023
16元件光电二极管阵列，是电子检测的理想选择
10mm2
AXUV20ELG
ODD-AXU-033
20元件光电二极管阵列是电子检测的理想选择
3mm2
美国Optodiode光电二极管：多像元和阵列探测器
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AXUV系列探测器的特点是对0.0124nm至190nm的光子、电子或X射线进行高性能测量，并检测100eV至50keV的能量。
型号 描述
AXUV100G ODD-AXU-010 Large Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20A ODD-AXU-026 Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV20HS1 ODD-AXU-036 High Speed Circular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV300C ODD-AXU-082 Large Rectangular Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV576C ODD-AXU-048 Large Square Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 High Speed Circuclar Photodiode Ideal for Radiation Detection
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 High Speed Circular Photodiode with Center Hole Ideal for Radiation Detection
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AXUV576C ODD-AXU-048 大型方形光电二极管是辐射探测的理想选择
AXUV63HS1 ODD-AXU-049 高速环形光电二极管，辐射探测的理想选择
AXUV63HS1-CH ODD-AXU-051 带中心孔的高速圆形光电二极管是辐射探测的理想选择
光电二极管：EUV增强型探测器（SXUV）
SXUV系列极紫外（EUV）增强型探测器具有好的13.5nm光刻能力，在1nm至190nm的极紫外曝光中具有稳定的响应度，是关键的EUV光测量的理想选择。
SXUV100 ODD-SXU-001 Large EUV Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV Low Noise Photodetector (1nm-190nm)
SXUV20HS1 ODD-SXU-004 High Speed EUV Photodetector (1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044 Large EUV High Speed Ceramic Package Photodetector (1nm-190nm)
SXUV5 ODD-SXU-008 High Speed EUV Photodetector (1nm-90nm)
SXUV100 ODD-SXU-001大型EUV光电探测器（1nm-190nm）
SXUV20C ODD-SXU-051 EUV低噪声光电探测器（1nm-190nm）
SXUV20HS1 ODD-SXU-004高速EUV光电探测器（1nm-190nm
SXUV300C ODD-SXU-044大型EUV高速陶瓷封装光电探测器（1nm-190nm）
SXUV5 ODD-SXU-008高速EUV光电探测器（1nm-90nm）
光电二极管：集成薄膜、封装和滤光器组件
光电二极管生产集成薄膜滤波器，用于检测太阳EUV辐射、软x射线辐射测量、x射线和EUV光刻、x射线显微镜和XUV光谱。我们还生产滤光窗、日光滤光器和多波长封装组件。
AXUV100TF030 ODD-AXU-019 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF400 ODD-AXU-002 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
SXUV100TF135 ODD-SXU-003 Photodiode with Directly Deposited Thin Film Filter
AXUV100TF030 ODD-AXU-019直接沉积薄膜滤光片光电二极管具有直接沉积薄膜滤光片
AXUV100TF400 ODD-AXU-002光电二极管
SXUV100TF135 ODD-SXU-003直接沉积薄膜滤光片光电二极管
